جلسه اول - توضیحات اولیه درس و رسیدن از اتم تا ترانزیستور در یک جلسه
جلسه دوم - تاریخچه فیزیک کوانتوم و حالت جامد
جلسه سوم - اصول مکانیک کوانتوم و معادلهی شرودینگر
جلسه چهارم - حل معادلهی شرودینگر برای چند مسالهی خاص
جلسه پنجم - جامد بلوری، شبکه براوه، ضرایب میلر
جلسه ششم - پیوندهای اتمی، نمایش نمودارهای انرژی، مفهوم الکترون-حفره
جلسه هفتم - نمودارهای E-K، مفهوم جرم موثر، مواد مستقیم و غیر مستقیم
جلسه هشتم - افزودن ناخالصی به نیمههادی، چگالی حالات، توزیع فرمی، چگالی الکترون حفرهها بر حسب تراز فرمی
جلسه نهم - تابعیت از دما، یونیزه شدن ناخالصیها
جلسه دهم - جریانهای رانش و نفوذ، طول پیمایش آزاد، پراکندگی از شبکه(فونون) و یونها
جلسه یازدهم - رابطهی انشتین، مفهوم تعادل، راههای برهم زدن تعادل، مکانیسمهای ترکیب-تولید، تزریق ضعیف
جلسه دوازدهم - نرخ ترکیب-تولید، معادلهی پیوستگی، معادلهی نفوذ اقلیتها، ترازهای شبهفرمی
جلسه چهاردهم - دیود، توصیف کیفی دیود، ولتاژ ذاتی دیود، فرضهای دیود ایدهآل
جلسه پانزدهم - روابط کمی I-V دیود ایدهآل، معادلهی کنترل بار
جلسه شانزدهم - دیود غیر ایدهآل، ترکیب و تولید در ناحیه تخلیه، مکانیسمهای شکست، تزریق شدید
جلسه هفدهم - مشخصه سیگنال کوچک دیود، خازن تخلیه و نفوذ، رفتار گذرای دیود
جلسه هجدهم - پیوند فلز-نیمههادی، اثر شاتکی، دیود شاتکی و اتصال اهمی
جلسه نوزدهم - ترانزیستور اثر میدانی JFET و MESFET و MOSFET
جلسه بیستم - خازن MOS، ولتاژ Flat Band، انباشتگی، تخلیه، وارونگی
جلسه بیست و یکم - ولتاژ آستانه، نمایش فضایی انباشتگی، تخلیه، وارونگی
جلسه بیست و دوم - منحنی C-V (فرکانس بالا و پایین)، طول دبای، بارهای درون اکسید
جلسه بیست و سوم - بارهای اکسید (بارهای ثابت، یونهای متحرک، تلههای سطحی)، اکسید پالی سیلیکان، قطر موثر اکسید، تنظیم آستانه با
جلسه بیست و چهارم - توصیف کیفی ترانزیستور MOSFET، تقریب ناحیهی تخلیه و محاسبهی کمی I-V، موبیلیتی موثر
جلسه بیست و پنجم - پارامتر اثر بدنه، مدولاسیون طول کانال، مدل سیگنال کوچک، جریان زیرآستانه
جلسه بیست و ششم - کوچک سازی MOSFET، اشباع سرعت، شرایط و آثار کانال کوتاه
جلسه بیست و هفتم - کوچک سازی میدان ثابت و مشکلات آن، DIBL، punchthrough ، الکترون داغ، توصیف BJT
جلسه بیست و هشتم - مولفههای جریان در BJT، بازده امیتر و فاکتور عبور بیس، فرضهای BJT ایدهآل و معادلات جریان
جلسه بیست و نهم - تاثیر ترکیب در بیس، فرض شبه ایدهآل، مدل ابرز-مول، مدل کنترل بار
جلسه سی ام - پاسخهای گذرای BJT، ولتاژ ارلی، شکست، ملاحظات هندسی، مدل سیگنال کوچک