اصول ادوات حالت جامد

جلسه اول - توضیحات اولیه درس و رسیدن از اتم تا ترانزیستور در یک جلسه

"81:12

جلسه دوم - تاریخچه فیزیک کوانتوم و حالت جامد

"66:10

جلسه سوم - اصول مکانیک کوانتوم و معادله‌ی شرودینگر

"85:01

جلسه چهارم - حل معادله‌ی شرودینگر برای چند مساله‌ی خاص

"75:42

جلسه پنجم - جامد بلوری، شبکه براوه، ضرایب میلر

"73:17

جلسه ششم - پیوندهای اتمی، نمایش نمودارهای انرژی، مفهوم الکترون-حفره

"79:31

جلسه هفتم - نمودارهای E-K، مفهوم جرم موثر، مواد مستقیم و غیر مستقیم

"73:26

جلسه هشتم - افزودن ناخالصی به نیمه‌هادی، چگالی حالات، توزیع فرمی، چگالی الکترون حفره‌ها بر حسب تراز فرمی

"81:20

جلسه نهم - تابعیت از دما، یونیزه شدن ناخالصی‌ها

"85:14

جلسه دهم - جریان‌های رانش و نفوذ، طول پیمایش آزاد، پراکندگی از شبکه(فونون) و یون‌ها

"80:04

جلسه یازدهم - رابطه‌ی انشتین، مفهوم تعادل، راه‌های برهم زدن تعادل، مکانیسم‌های ترکیب-تولید، تزریق ضعیف

"83:34

جلسه دوازدهم - نرخ ترکیب-تولید، معادله‌ی پیوستگی، معادله‌ی نفوذ اقلیت‌ها، ترازهای شبه‌فرمی

"76:10

جلسه سیزدهم - پیز

"70:53

جلسه چهاردهم - دیود، توصیف کیفی دیود، ولتاژ ذاتی دیود، فرض‌های دیود ایده‌آل

"84:21

جلسه پانزدهم - روابط کمی I-V دیود ایده‌آل، معادله‌ی کنترل بار

"85:15

جلسه شانزدهم - دیود غیر ایده‌آل، ترکیب و تولید در ناحیه تخلیه، مکانیسم‌های شکست، تزریق شدید

"85:11

جلسه هفدهم - مشخصه سیگنال کوچک دیود، خازن تخلیه و نفوذ، رفتار گذرای دیود

"78:41

جلسه هجدهم - پیوند فلز-نیمه‌هادی، اثر شاتکی، دیود شاتکی و اتصال اهمی

"83:14

جلسه نوزدهم - ترانزیستور اثر میدانی JFET و MESFET و MOSFET

"85:58

جلسه بیستم - خازن MOS، ولتاژ Flat Band، انباشتگی، تخلیه، وارونگی

"86:29

جلسه بیست و یکم - ولتاژ آستانه، نمایش فضایی انباشتگی، تخلیه، وارونگی

"83:18

جلسه بیست و دوم - منحنی C-V (فرکانس بالا و پایین)، طول دبای، بارهای درون اکسید

"85:51

جلسه بیست و سوم - بارهای اکسید (بارهای ثابت، یون‌های متحرک، تله‌های سطحی)، اکسید پالی سیلیکان، قطر موثر اکسید، تنظیم آستانه با

"80:46

جلسه بیست و چهارم - توصیف کیفی ترانزیستور MOSFET، تقریب ناحیه‌ی تخلیه و محاسبه‌ی کمی I-V، موبیلیتی موثر

"77:01

جلسه بیست و پنجم - پارامتر اثر بدنه، مدولاسیون طول کانال، مدل سیگنال کوچک، جریان زیرآستانه

"79:12

جلسه بیست و ششم - کوچک سازی MOSFET، اشباع سرعت، شرایط و آثار کانال کوتاه

"64:07

جلسه بیست و هفتم - کوچک سازی میدان ثابت و مشکلات آن، DIBL، punchthrough ، الکترون داغ، توصیف BJT

"93:29

جلسه بیست و هشتم - مولفه‌های جریان در BJT، بازده امیتر و فاکتور عبور بیس، فرض‌های BJT ایده‌آل و معادلات جریان

"87:03

جلسه بیست و نهم - تاثیر ترکیب در بیس، فرض شبه ایده‌آل، مدل ابرز-مول، مدل کنترل بار

"78:28

جلسه سی ام - پاسخ‌های گذرای BJT، ولتاژ ارلی، شکست، ملاحظات هندسی، مدل سیگنال کوچک

"86:46