00:00 / 00:00
1.8x
1.4x
1.0x
0.7x
HD SD
HD
SD
ثبت‌نام رایگان
  • دسترسی به کل جلسات ویدیویی از دوره
  • دسترسی به کل جلسات ویدیویی از دوره
  • اضافه شدن دوره به پروفایل
00:00 / 00:00
1.8x
1.4x
1.0x
0.7x
HD SD
HD
SD

اصول ادوات حالت جامد

دوره‌های رایگان
30 جلسه
100٪ (151 رای)
در این درس با اصول کار ادوات الکترونیکی از قبیل ترانزیستور و دیود آشنا میشویم .
لینک مطالب درس، تکالیف ، امتحانات ، کوییز ها و اسلایدها :
http://ee.sharif.edu/~sarvari/25772/25772.html

سرفصل‌های دوره اصول ادوات حالت جامد

فیلم های آموزشی
40:16 ساعت
40:16
Combined Shape Created with Sketch. 30 جلسه
جلسه اول - توضیحات اولیه درس و رسیدن از اتم تا ترانزیستور در یک جلسه
"81:12
جلسه دوم - تاریخچه فیزیک کوانتوم و حالت جامد
"66:10
جلسه سوم - اصول مکانیک کوانتوم و معادله‌ی شرودینگر
"85:01
جلسه چهارم - حل معادله‌ی شرودینگر برای چند مساله‌ی خاص
"75:42
جلسه پنجم - جامد بلوری، شبکه براوه، ضرایب میلر
"73:17
جلسه ششم - پیوندهای اتمی، نمایش نمودارهای انرژی، مفهوم الکترون-حفره
"79:31
جلسه هفتم - نمودارهای E-K، مفهوم جرم موثر، مواد مستقیم و غیر مستقیم
"73:26
جلسه هشتم - افزودن ناخالصی به نیمه‌هادی، چگالی حالات، توزیع فرمی، چگالی الکترون حفره‌ها بر حسب تراز فرمی
"81:20
جلسه نهم - تابعیت از دما، یونیزه شدن ناخالصی‌ها
"85:14
جلسه دهم - جریان‌های رانش و نفوذ، طول پیمایش آزاد، پراکندگی از شبکه(فونون) و یون‌ها
"80:04
جلسه یازدهم - رابطه‌ی انشتین، مفهوم تعادل، راه‌های برهم زدن تعادل، مکانیسم‌های ترکیب-تولید، تزریق ضعیف
"83:34
جلسه دوازدهم - نرخ ترکیب-تولید، معادله‌ی پیوستگی، معادله‌ی نفوذ اقلیت‌ها، ترازهای شبه‌فرمی
"76:10
جلسه سیزدهم - پیز
"70:53
جلسه چهاردهم - دیود، توصیف کیفی دیود، ولتاژ ذاتی دیود، فرض‌های دیود ایده‌آل
"84:21
جلسه پانزدهم - روابط کمی I-V دیود ایده‌آل، معادله‌ی کنترل بار
"85:15
جلسه شانزدهم - دیود غیر ایده‌آل، ترکیب و تولید در ناحیه تخلیه، مکانیسم‌های شکست، تزریق شدید
"85:11
جلسه هفدهم - مشخصه سیگنال کوچک دیود، خازن تخلیه و نفوذ، رفتار گذرای دیود
"78:41
جلسه هجدهم - پیوند فلز-نیمه‌هادی، اثر شاتکی، دیود شاتکی و اتصال اهمی
"83:14
جلسه نوزدهم - ترانزیستور اثر میدانی JFET و MESFET و MOSFET
"85:58
جلسه بیستم - خازن MOS، ولتاژ Flat Band، انباشتگی، تخلیه، وارونگی
"86:29
جلسه بیست و یکم - ولتاژ آستانه، نمایش فضایی انباشتگی، تخلیه، وارونگی
"83:18
جلسه بیست و دوم - منحنی C-V (فرکانس بالا و پایین)، طول دبای، بارهای درون اکسید
"85:51
جلسه بیست و سوم - بارهای اکسید (بارهای ثابت، یون‌های متحرک، تله‌های سطحی)، اکسید پالی سیلیکان، قطر موثر اکسید، تنظیم آستانه با
"80:46
جلسه بیست و چهارم - توصیف کیفی ترانزیستور MOSFET، تقریب ناحیه‌ی تخلیه و محاسبه‌ی کمی I-V، موبیلیتی موثر
"77:01
جلسه بیست و پنجم - پارامتر اثر بدنه، مدولاسیون طول کانال، مدل سیگنال کوچک، جریان زیرآستانه
"79:12
جلسه بیست و ششم - کوچک سازی MOSFET، اشباع سرعت، شرایط و آثار کانال کوتاه
"64:07
جلسه بیست و هفتم - کوچک سازی میدان ثابت و مشکلات آن، DIBL، punchthrough ، الکترون داغ، توصیف BJT
"93:29
جلسه بیست و هشتم - مولفه‌های جریان در BJT، بازده امیتر و فاکتور عبور بیس، فرض‌های BJT ایده‌آل و معادلات جریان
"87:03
جلسه بیست و نهم - تاثیر ترکیب در بیس، فرض شبه ایده‌آل، مدل ابرز-مول، مدل کنترل بار
"78:28
جلسه سی ام - پاسخ‌های گذرای BJT، ولتاژ ارلی، شکست، ملاحظات هندسی، مدل سیگنال کوچک
"86:46
استاد دوره
رضا سروری رضا سروری

دکتر رضا سروری فارغ‌التحصیل کارشناسی و کارشناسی ارشد دانشگاه شریف در سال 1998 میلادی و همچنین فارغ‌التحصیل دوره دکتری انستیوتو تکنولوژی جورجیا آمریکا در سال 2008 است. وی هم اکنون استادیار دانشکده برق دانشگاه شریف است. زمینه فعالیت ایشان اتصالات در مدارهای مجتمع و کاربردهای نانوفناوری در مدارهای مجتمع است.

اطلاعات بیشتر
درباره برگزارکننده
دانشگاه صنعتی شریف دانشگاه صنعتی شریف (اطلاعات بیشتر)

نظرات  (4 نظر)

کاربر مکتب‌خونه
13:57 - 1400/01/05
کاربر‌ سایت
بسیار عالی هست. سپاسگذارم از استاد که تدریس عالی دارند و از شما که این امکان را فراهم ساختید که ما بتوانیم از تدریس این استاد عالیقدر بهره مند شویم.
سارا
01:07 - 1399/12/24
کاربر‌ سایت
استاد, عالی, نحوه ی تدریس با پاورپوینت, عالی, کیفیت ویدئو و صدا هم خیلی خوب... همه چیز در مورد این آموزش عالی بود... ممنون از مکتب خونه.
شیما
15:38 - 1399/10/07
کاربر‌ سایت
برای بنده بسیار عالی و مفید و فوق العاده بود. بنابراین لازم میدونم که از لطف جناب دکتر سروری برای در دسترس گذاشتن این دوره تشکر کنم. همچنین درخوست دارم که درصورت امکان دروس دیگری را نیز ارائه دهند. باتشکر فراوان
زینت
02:12 - 1399/09/10
کاربر‌ سایت
بیان شیرین اخلاق فوق العاده استاد سروری یادگیری این درس رو برام خیلی راحت کرد کاش میشد استاد رو از نزدیک ببینم و ازش تشکر کنم

سوالات پرتکرار

آیا ممکن است که درسی ناقص ضبط شده باشد؟
ما همواره تلاش کرده­‌ایم که دروس را به طور کامل ضبط نماییم و در اختیار شما دوستان قرار دهیم. اما گاهی برخی ناهماهنگی ها سبب می شود که یک یا تعدادی از جلسات یک درس ضبط نشود. توضیح این گونه نواقص در توضیح درس­ ها آمده است.
اگر لینک دانلود یا پخش ویدئو مشکل داشت چه باید کرد؟
در صورتی که با هر گونه مشکلی رو به رو شدید می توانید از طریق صفحه ارتباط با ما به ما اطلاع دهید تا ما سریعا مشکل را پیگیری و برطرف نماییم.
آیا امکان دریافت فیلم های یک درس به صورت سی دی یا دی وی دی وجود دارد؟
در حال حاضر امکان ارسال دروس به صورت سی دی یا دی وی دی وجود ندارد.

×

ثبت نظر

به این دوره از ۱ تا ۵ چه امتیازی می‌دهید؟

فیلم های آموزشی
40:16 ساعت
40:16
Combined Shape Created with Sketch. 30 جلسه
جلسه اول - توضیحات اولیه درس و رسیدن از اتم تا ترانزیستور در یک جلسه
"81:12
جلسه دوم - تاریخچه فیزیک کوانتوم و حالت جامد
"66:10
جلسه سوم - اصول مکانیک کوانتوم و معادله‌ی شرودینگر
"85:01
جلسه چهارم - حل معادله‌ی شرودینگر برای چند مساله‌ی خاص
"75:42
جلسه پنجم - جامد بلوری، شبکه براوه، ضرایب میلر
"73:17
جلسه ششم - پیوندهای اتمی، نمایش نمودارهای انرژی، مفهوم الکترون-حفره
"79:31
جلسه هفتم - نمودارهای E-K، مفهوم جرم موثر، مواد مستقیم و غیر مستقیم
"73:26
جلسه هشتم - افزودن ناخالصی به نیمه‌هادی، چگالی حالات، توزیع فرمی، چگالی الکترون حفره‌ها بر حسب تراز فرمی
"81:20
جلسه نهم - تابعیت از دما، یونیزه شدن ناخالصی‌ها
"85:14
جلسه دهم - جریان‌های رانش و نفوذ، طول پیمایش آزاد، پراکندگی از شبکه(فونون) و یون‌ها
"80:04
جلسه یازدهم - رابطه‌ی انشتین، مفهوم تعادل، راه‌های برهم زدن تعادل، مکانیسم‌های ترکیب-تولید، تزریق ضعیف
"83:34
جلسه دوازدهم - نرخ ترکیب-تولید، معادله‌ی پیوستگی، معادله‌ی نفوذ اقلیت‌ها، ترازهای شبه‌فرمی
"76:10
جلسه سیزدهم - پیز
"70:53
جلسه چهاردهم - دیود، توصیف کیفی دیود، ولتاژ ذاتی دیود، فرض‌های دیود ایده‌آل
"84:21
جلسه پانزدهم - روابط کمی I-V دیود ایده‌آل، معادله‌ی کنترل بار
"85:15
جلسه شانزدهم - دیود غیر ایده‌آل، ترکیب و تولید در ناحیه تخلیه، مکانیسم‌های شکست، تزریق شدید
"85:11
جلسه هفدهم - مشخصه سیگنال کوچک دیود، خازن تخلیه و نفوذ، رفتار گذرای دیود
"78:41
جلسه هجدهم - پیوند فلز-نیمه‌هادی، اثر شاتکی، دیود شاتکی و اتصال اهمی
"83:14
جلسه نوزدهم - ترانزیستور اثر میدانی JFET و MESFET و MOSFET
"85:58
جلسه بیستم - خازن MOS، ولتاژ Flat Band، انباشتگی، تخلیه، وارونگی
"86:29
جلسه بیست و یکم - ولتاژ آستانه، نمایش فضایی انباشتگی، تخلیه، وارونگی
"83:18
جلسه بیست و دوم - منحنی C-V (فرکانس بالا و پایین)، طول دبای، بارهای درون اکسید
"85:51
جلسه بیست و سوم - بارهای اکسید (بارهای ثابت، یون‌های متحرک، تله‌های سطحی)، اکسید پالی سیلیکان، قطر موثر اکسید، تنظیم آستانه با
"80:46
جلسه بیست و چهارم - توصیف کیفی ترانزیستور MOSFET، تقریب ناحیه‌ی تخلیه و محاسبه‌ی کمی I-V، موبیلیتی موثر
"77:01
جلسه بیست و پنجم - پارامتر اثر بدنه، مدولاسیون طول کانال، مدل سیگنال کوچک، جریان زیرآستانه
"79:12
جلسه بیست و ششم - کوچک سازی MOSFET، اشباع سرعت، شرایط و آثار کانال کوتاه
"64:07
جلسه بیست و هفتم - کوچک سازی میدان ثابت و مشکلات آن، DIBL، punchthrough ، الکترون داغ، توصیف BJT
"93:29
جلسه بیست و هشتم - مولفه‌های جریان در BJT، بازده امیتر و فاکتور عبور بیس، فرض‌های BJT ایده‌آل و معادلات جریان
"87:03
جلسه بیست و نهم - تاثیر ترکیب در بیس، فرض شبه ایده‌آل، مدل ابرز-مول، مدل کنترل بار
"78:28
جلسه سی ام - پاسخ‌های گذرای BJT، ولتاژ ارلی، شکست، ملاحظات هندسی، مدل سیگنال کوچک
"86:46