00:00 / 00:00
1.8x
1.4x
1.0x
0.7x
HD SD
HD
SD
00:00 / 00:00
1.8x
1.4x
1.0x
0.7x
HD SD
HD
SD

اصول ادوات حالت جامد

دوره‌های دانشگاهی
30 جلسه

سرفصل‌ها

در این درس با اصول کار ادوات الکترونیکی از قبیل ترانزیستور و دیود آشنا میشویم .
لینک مطالب درس، تکالیف ، امتحانات ، کوییز ها و اسلایدها :
http://ee.sharif.edu/~sarvari/25772/25772.html
مدرس دوره
رضا سروری
رضا سروری فارغ التحصیل کارشناسی و کارشناسی ارشد دانشگاه شریف در سال 1998 میلادی و دوره دکتری انستیوت تکنولوژی جورجیا امریکا در سال 2008 میباشد .او هم اکنون استادیار دانشکده برق دانشگاه شریف است . زمینه فعالیت ایشان اتصالات در مدارهای مجتمع و کاربردهای نانوفن‌آوری در مدارهای مجتمع است.

فیلم های آموزشی
40:16 ساعت
40:16
Combined Shape Created with Sketch. 30 جلسه
جلسه اول - توضیحات اولیه درس و رسیدن از اتم تا ترانزیستور در یک جلسه
"81:12
جلسه دوم - تاریخچه فیزیک کوانتوم و حالت جامد
"66:10
جلسه سوم - اصول مکانیک کوانتوم و معادله‌ی شرودینگر
"85:01
جلسه چهارم - حل معادله‌ی شرودینگر برای چند مساله‌ی خاص
"75:42
جلسه پنجم - جامد بلوری، شبکه براوه، ضرایب میلر
"73:17
جلسه ششم - پیوندهای اتمی، نمایش نمودارهای انرژی، مفهوم الکترون-حفره
"79:31
جلسه هفتم - نمودارهای E-K، مفهوم جرم موثر، مواد مستقیم و غیر مستقیم
"73:26
جلسه هشتم - افزودن ناخالصی به نیمه‌هادی، چگالی حالات، توزیع فرمی، چگالی الکترون حفره‌ها بر حسب تراز فرمی
"81:20
جلسه نهم - تابعیت از دما، یونیزه شدن ناخالصی‌ها
"85:14
جلسه دهم - جریان‌های رانش و نفوذ، طول پیمایش آزاد، پراکندگی از شبکه(فونون) و یون‌ها
"80:04
جلسه یازدهم - رابطه‌ی انشتین، مفهوم تعادل، راه‌های برهم زدن تعادل، مکانیسم‌های ترکیب-تولید، تزریق ضعیف
"83:34
جلسه دوازدهم - نرخ ترکیب-تولید، معادله‌ی پیوستگی، معادله‌ی نفوذ اقلیت‌ها، ترازهای شبه‌فرمی
"76:10
جلسه سیزدهم - پیز
"70:53
جلسه چهاردهم - دیود، توصیف کیفی دیود، ولتاژ ذاتی دیود، فرض‌های دیود ایده‌آل
"84:21
جلسه پانزدهم - روابط کمی I-V دیود ایده‌آل، معادله‌ی کنترل بار
"85:15
جلسه شانزدهم - دیود غیر ایده‌آل، ترکیب و تولید در ناحیه تخلیه، مکانیسم‌های شکست، تزریق شدید
"85:11
جلسه هفدهم - مشخصه سیگنال کوچک دیود، خازن تخلیه و نفوذ، رفتار گذرای دیود
"78:41
جلسه هجدهم - پیوند فلز-نیمه‌هادی، اثر شاتکی، دیود شاتکی و اتصال اهمی
"83:14
جلسه نوزدهم - ترانزیستور اثر میدانی JFET و MESFET و MOSFET
"85:58
جلسه بیستم - خازن MOS، ولتاژ Flat Band، انباشتگی، تخلیه، وارونگی
"86:29
جلسه بیست و یکم - ولتاژ آستانه، نمایش فضایی انباشتگی، تخلیه، وارونگی
"83:18
جلسه بیست و دوم - منحنی C-V (فرکانس بالا و پایین)، طول دبای، بارهای درون اکسید
"85:51
جلسه بیست و سوم - بارهای اکسید (بارهای ثابت، یون‌های متحرک، تله‌های سطحی)، اکسید پالی سیلیکان، قطر موثر اکسید، تنظیم آستانه با
"80:46
جلسه بیست و چهارم - توصیف کیفی ترانزیستور MOSFET، تقریب ناحیه‌ی تخلیه و محاسبه‌ی کمی I-V، موبیلیتی موثر
"77:01
جلسه بیست و پنجم - پارامتر اثر بدنه، مدولاسیون طول کانال، مدل سیگنال کوچک، جریان زیرآستانه
"79:12
جلسه بیست و ششم - کوچک سازی MOSFET، اشباع سرعت، شرایط و آثار کانال کوتاه
"64:07
جلسه بیست و هفتم - کوچک سازی میدان ثابت و مشکلات آن، DIBL، punchthrough ، الکترون داغ، توصیف BJT
"93:29
جلسه بیست و هشتم - مولفه‌های جریان در BJT، بازده امیتر و فاکتور عبور بیس، فرض‌های BJT ایده‌آل و معادلات جریان
"87:03
جلسه بیست و نهم - تاثیر ترکیب در بیس، فرض شبه ایده‌آل، مدل ابرز-مول، مدل کنترل بار
"78:28
جلسه سی ام - پاسخ‌های گذرای BJT، ولتاژ ارلی، شکست، ملاحظات هندسی، مدل سیگنال کوچک
"86:46