ثبت‌نام رایگان

دسترسی رایگان به محتوای دوره

اصول ادوات حالت جامد

دوره‌های دانشگاهی

30 جلسه

در این درس با اصول کار ادوات الکترونیکی از قبیل ترانزیستور و دیود آشنا میشویم .
لینک مطالب درس، تکالیف ، امتحانات ، کوییز ها و اسلایدها :
http://ee.sharif.edu/~sarvari/25772/25772.html

مدرس دوره

رضا سروری

رضا سروری فارغ التحصیل کارشناسی و کارشناسی ارشد دانشگاه شریف در سال 1998 میلادی و دوره دکتری انستیوت تکنولوژی جورجیا امریکا در سال 2008 میباشد .او هم اکنون استادیار دانشکده برق دانشگاه شریف است . زمینه فعالیت ایشان اتصالات در مدارهای مجتمع و کاربردهای نانوفن‌آوری در مدارهای مجتمع است.

فیلم های آموزشی

40:16 ساعت

40:16

30 جلسه

جلسه اول - توضیحات اولیه درس و رسیدن از اتم تا ترانزیستور در یک جلسه

جلسه دوم - تاریخچه فیزیک کوانتوم و حالت جامد

جلسه سوم - اصول مکانیک کوانتوم و معادله‌ی شرودینگر

جلسه چهارم - حل معادله‌ی شرودینگر برای چند مساله‌ی خاص

جلسه پنجم - جامد بلوری، شبکه براوه، ضرایب میلر

جلسه ششم - پیوندهای اتمی، نمایش نمودارهای انرژی، مفهوم الکترون-حفره

جلسه هفتم - نمودارهای E-K، مفهوم جرم موثر، مواد مستقیم و غیر مستقیم

جلسه هشتم - افزودن ناخالصی به نیمه‌هادی، چگالی حالات، توزیع فرمی، چگالی الکترون حفره‌ها بر حسب تراز فرمی

جلسه نهم - تابعیت از دما، یونیزه شدن ناخالصی‌ها

جلسه دهم - جریان‌های رانش و نفوذ، طول پیمایش آزاد، پراکندگی از شبکه(فونون) و یون‌ها

جلسه یازدهم - رابطه‌ی انشتین، مفهوم تعادل، راه‌های برهم زدن تعادل، مکانیسم‌های ترکیب-تولید، تزریق ضعیف

جلسه دوازدهم - نرخ ترکیب-تولید، معادله‌ی پیوستگی، معادله‌ی نفوذ اقلیت‌ها، ترازهای شبه‌فرمی

جلسه سیزدهم - پیز

جلسه چهاردهم - دیود، توصیف کیفی دیود، ولتاژ ذاتی دیود، فرض‌های دیود ایده‌آل

جلسه پانزدهم - روابط کمی I-V دیود ایده‌آل، معادله‌ی کنترل بار

جلسه شانزدهم - دیود غیر ایده‌آل، ترکیب و تولید در ناحیه تخلیه، مکانیسم‌های شکست، تزریق شدید

جلسه هفدهم - مشخصه سیگنال کوچک دیود، خازن تخلیه و نفوذ، رفتار گذرای دیود

جلسه هجدهم - پیوند فلز-نیمه‌هادی، اثر شاتکی، دیود شاتکی و اتصال اهمی

جلسه نوزدهم - ترانزیستور اثر میدانی JFET و MESFET و MOSFET

جلسه بیستم - خازن MOS، ولتاژ Flat Band، انباشتگی، تخلیه، وارونگی

جلسه بیست و یکم - ولتاژ آستانه، نمایش فضایی انباشتگی، تخلیه، وارونگی

جلسه بیست و دوم - منحنی C-V (فرکانس بالا و پایین)، طول دبای، بارهای درون اکسید

جلسه بیست و سوم - بارهای اکسید (بارهای ثابت، یون‌های متحرک، تله‌های سطحی)، اکسید پالی سیلیکان، قطر موثر اکسید، تنظیم آستانه با

جلسه بیست و چهارم - توصیف کیفی ترانزیستور MOSFET، تقریب ناحیه‌ی تخلیه و محاسبه‌ی کمی I-V، موبیلیتی موثر

جلسه بیست و پنجم - پارامتر اثر بدنه، مدولاسیون طول کانال، مدل سیگنال کوچک، جریان زیرآستانه

جلسه بیست و ششم - کوچک سازی MOSFET، اشباع سرعت، شرایط و آثار کانال کوتاه

جلسه بیست و هفتم - کوچک سازی میدان ثابت و مشکلات آن، DIBL، punchthrough ، الکترون داغ، توصیف BJT

جلسه بیست و هشتم - مولفه‌های جریان در BJT، بازده امیتر و فاکتور عبور بیس، فرض‌های BJT ایده‌آل و معادلات جریان

جلسه بیست و نهم - تاثیر ترکیب در بیس، فرض شبه ایده‌آل، مدل ابرز-مول، مدل کنترل بار

جلسه سی ام - پاسخ‌های گذرای BJT، ولتاژ ارلی، شکست، ملاحظات هندسی، مدل سیگنال کوچک